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Unidad de Estado Sólido Gigabyte - M.2 - 512GB - PCI-Express 3.0

Modelo: GP-GSM2NE3512GNTD

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11-15 $1,305.00
16 o más $1,297.00
Características principales
  • Interfaz:
    PCI Express 3.0
  • Velocidad de lectura:
    1700 MB/s
  • Velocidad de escritura:
    1550 MB/s
  • Disco de estado sólido, capacidad:
    512 GB
  • Tiempo medio entre fallos:
    1500000 h
Calidad de la ficha técnica: Creada/Estandarizada por Icecat
La información del producto y ficha técnica es proporcionada por Icecat. Intercompras hace un esfuerzo constante por verificar esta información, pero no se hace responsable de su veracidad.

La calidad de la ficha técnica puede tener diversos niveles:

Creada/estandarizada por icecat: la ficha técnica ha sido creada o estandarizada por un editor de Icecat.
Creada por Gigabyte: la ficha técnica ha sido importada desde una fuente oficial del fabricante, pero no ha sido estandarizada todavía por ningún editor de Icecat.
Solo se ha importado información logística: Solamente contamos con información básica importada desde el fabricante, la ficha técnica no ha sido creada todavía por un editor.
Enviado por un usuario: un usuario de icecat ha subido una ficha técnica. La ficha no ha sido controlada todavía por algún editor de Icecat.
GP-GSM2NE3512GNTD
GP-GSM2NE3512GNTD

Categoría: solid state drives

Fabricante: Gigabyte

Fecha de Salida: 19/09/2019

Especificaciones técnicas

Procesador
Componente para PC/computadora portátil
Puertos e Interfaces
Interfaz PCI Express 3.0
Peso y dimensiones
Altura 2.3 mm
Ancho 80 mm
Profundidad 22 mm
Control de energía
Consumo de energía (espera) 0.0018 W
Consumo de energía (lectura) 3.3 W
Consumo de energía (escritura) 2.8 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Resistencia
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Diseño
SSD form factor M.2
Desempeño
Velocidad de lectura 1700 MB/s
Velocidad de escritura 1550 MB/s
Disco de estado sólido, capacidad 512 GB
Soporte S.M.A.R.T.
Soporte TRIM
Escritura aleatoria (4KB) 34000 IOPS
Lectura aleatoria (4KB) 27000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
calificación TBW 800
Compatible con NVM Express (NVMe)
Versión NVM Express (NVMe) 1.3

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