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Transistor de Potencia SYSCOM - NPN · 500 V · 15 A | 80 W · TO-3PB · 2SC-3451

Name: Transistor de Potencia SYSCOM - NPN · 500 V · 15 A | 80 W · TO-3PB · 2SC-3451
Brand: SYSCOM
SKU: 311433
Price: 56.00 MXN
Availability: InStock

Modelo: 2SC-3451

Voltaje colector-base (VCBO): 500 V; colector-emisor (VCEO): 400 V.

Corriente de colector (IC): 15 A; corriente de base (IB): 5 A.

Disipación de potencia (PC): 80 W con la carcasa a 25 °C.

Resistencia térmica unión-carcasa: 1.56 °C/W.

Tiempos de conmutación: encendido 0.5 µs, almacenamiento 1.5 µs y caída 0.15 µs.

Encapsulado: TO-3PB, transistor NPN de silicio.

Lo que debes de saber de este producto

VCBO: 500 V.
IC: 15 A.
PC: 80 W (TC = 25 °C).
Rth(j-c): 1.56 °C/W.
Encapsulado: TO-3PB.

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Transistor de potencia NPN de silicio SYSCOM 2SC-3451, en encapsulado TO-3PB. Soporta 500 V entre colector y base, 15 A de corriente de colector y 80 W de disipación con la carcasa a 25 °C. Se usa en reguladores de conmutación (SMPS), generadores ultrasónicos e inversores de corriente directa a alterna (DC-AC).

Especificaciones

Tipo: transistor de potencia NPN de silicio.
Voltaje colector-base (VCBO): 500 V.
Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V.
Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V.
Corriente de colector (IC): 15 A.
Corriente de base (IB): 5 A.
Disipación de potencia (PC): 80 W (TC = 25 °C).
Resistencia térmica unión-carcasa (Rth(j-c)): 1.56 °C/W.
Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)): 1.0 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A).
Voltaje de saturación base-emisor (VBE(sat)): 1.5 V (IC = 6 A, IB = 1.2 A).
Ganancia de corriente (hFE): 10 mín. (IC = 6 A, VCE = 5 V).
Tiempos de conmutación: encendido 0.5 µs, almacenamiento 1.5 µs, caída 0.15 µs.
Temperatura de unión (Tj máx.): 150 °C.
Temperatura de almacenamiento: -65 °C a 150 °C.
Encapsulado: TO-3PB.

Compatibilidad y uso

Reguladores de conmutación (SMPS), generadores ultrasónicos e inversores DC-AC.

Especificaciones técnicas

Control de energía
Potencia	80 W (TC = 25 °C)
Desempeño
Tipo de producto	Transistor de potencia NPN

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