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Mosfet Canal-n SYSCOM STP-40N20 - Transistor de Potencia · 200 V, 40 A | Uso en Electrónica y Control de Potencia · Encapsulado TO-220ab

Name: Mosfet Canal-n SYSCOM STP-40N20 - Transistor de Potencia · 200 V, 40 A | Uso en Electrónica y Control de Potencia · Encapsulado TO-220ab
Brand: SYSCOM
SKU: 456558
Price: 32.00 MXN
Availability: InStock

Modelo: STP-40N20

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MOSFET Canal-N STP-40N20 para Radiocomunicación

El MOSFET Canal-N modelo STP-40N20 es un componente esencial para aplicaciones de radiocomunicación que requieren alta eficiencia y confiabilidad. Con una capacidad de 200 V, 40 A y 160 W, este transistor en encapsulado TO-220AB está diseñado para optimizar el rendimiento en convertidores CC-CC aislados avanzados.

Características principales

Voltaje máximo: 200 V
Corriente máxima: 40 A
Potencia máxima: 160 W
Encapsulado: TO-220AB
Diseño con proceso STripFET para minimizar capacitancia de entrada y carga de puerta
Ideal para interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia

Descripción técnica

Este MOSFET ha sido fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, que reduce significativamente la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Estas características permiten un funcionamiento eficiente y rápido, optimizando el rendimiento en aplicaciones de conmutación de potencia.

Recomendaciones de instalación y uso

Utilizar en circuitos de convertidores CC-CC aislados para mejorar la eficiencia energética.
Asegurar una correcta disipación térmica debido a su potencia máxima de 160 W.
Verificar la compatibilidad con el diseño del circuito para evitar sobrecargas.
Manipular con precaución para evitar daños electrostáticos.

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